Laser de Diodo 830nm K83S02F-1.00W

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Descrição de produto detalhada

Aplicações:

） Do （25℃ das especificações			Símbolo	Unidade	K83S04F-1.00W
Dados óticos		poder da CW-saída	Po	W	1
		Comprimento de onda Center	lc	nanômetro	830
		Tolerância de l	-	nanômetro	±10
		Largura espectral (FWHM)	△l	nanômetro	<3
		Tração da temperatura de l	-	nm/℃	~0.3
Dados da fibra		Diâmetro de núcleo da fibra	Wc	µm	62.5
		Abertura numérica	NA	-	0.22
		Conector da fibra	-	-	FC, ST, SMA-905
Dados elétricos		Corrente da operação	Processador de entrada/saída	A	1.5
		Corrente do ponto inicial	Ith	A	0.2
		Eficiência de conversão	η	%	37
		Eficiência da inclinação	ηD	W/A	0.8
		Tensão da operação	Vop	V	1.8
		Tensão reversa	Vre	V	2
Dados do poder da saída		NA=0.15	-	%	>95
		NA=0.12	-	%	>90
		NA=0.06	-	%	>50
Outro	Temperatura da operação		Parte superior	℃	10~30
	Temperatura de armazenamento		Teste	℃	-20~+80
	Vida prevista		MTBF	h	>10,000
	Dimensões (fibra e conector não incluídos)		-	milímetro	26.0×12.7×7.0
	Temperatura de solda da ligação		Tis	℃	260 (segundo 10.)

etiqueta : laser de 830nm , diodo laser de 830nm , diodo laser

Contacto

BWT Beijing Ltd

Pessoa de Contato: Ms.Hellen Wang

Tel:86-10-83681052

Fax:86-10-83682949