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CasaProdutos808nm módulo laser de diodo

808nm 8W Laser Diodo K81D14C-8.00W-FS

China  de boa qualidade  módulo do laser azul on sales
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808nm 8W Laser Diodo K81D14C-8.00W-FS

Imagem Grande : 808nm 8W Laser Diodo K81D14C-8.00W-FS

Detalhes do produto:

Certificação:ISO9001
Marca:BWT
Número do modelo:K81D14C-8.00W-FS
Local de origem:Beijing, China (continente)

Condições de Pagamento e Envio:

Condições de pagamento:T/T.
Tempo de entrega:4-8 semanas
Quantidade mínima de encomenda:1 Piece / Pieces
Capacidade de fornecimento:100.000/ano.
Descrição de produto detalhada

 

 

Diodo láser K81D14C-8.00W-FS das características chaves 808nm:

  • poder da saída 8W
  • Acoplamento padrão da fibra para a fibra do núcleo de 200μm
  • comprimento de onda 808nm 
  • 650nm que aponta o feixe
  • Opção do cliente:
    Sensor da fibra
    Circuito de controle do poder constante para dentro
     

Diodo láser K81D14C-8.00W-FS das aplicações 808nm:

  • Bombeamento de laser
  • Uso médico
  • Processamento material

 

Especificações (25℃)

Símbolo

Unidade

K81D14C-

2.00W-FS

K81D14C-

4.00W-FS

K81D14C-

8.00W-FS

Dados óticos

poder da CW-saída

Po

W

2

4

8

Comprimento de onda Center

lc

nanômetro

808

Tolerância de l

-

nanômetro

±3, ±10

Largura espectral (FWHM)

△l

nanômetro

<3

Tração da temperatura de l

-

nm/℃

~0.3

Dados do conector

Projetado para o diâmetro de núcleo da fibra

Wc

µm

200

Projetado para a abertura numérica da fibra

NA

-

0.22

Conector da fibra

-

-

SMA-905

Dados elétricos

Corrente da operação

Processador de entrada/saída

A

2.5

5.0

10.0

Corrente do ponto inicial

Ith

A

0.4

0.8

1.5

Eficiência de conversão

η

%

35~45

Eficiência da inclinação

ηD

W/A

0.8~1.0

Tensão da operação

Vop

V

1.8

2.1

2.2

Tensão reversa

Vre

V

2

Dados do paládio

Atual

OMI

miliampère

0.10~2.00

Dados TÉCNICOS

Corrente máxima

Ele

A

4.0

4.0

6.0

Tensão máxima

Vt

V

9.8

Dados do termistor (1)

Termistor

Rt

(K Ω)/Β (25℃)

10±5%∕3477

Apontando dados do feixe

Poder da saída

Pa

mW

>2

Comprimento de onda

la

nanômetro

650±10

Tensão

Va

V

2.2 (2)

Atual

Ia

miliampère

<30

Outro

Temperatura da operação

Parte superior

10~30

Temperatura de armazenamento

Teste

-20~+80

Vida

MTTF

h

>10, 000

Dimensões

(fibra e conector não incluídos)

-

milímetro

44.5×31.8×18.0

Temperatura de solda da ligação

Tis

         ℃

260 (segundo 10.)

  1. RT=R0·exp (β (1/T-1/T0)), (T0=25℃=298K).
  2. Com um circuito de poder constante para dentro.

Contacto
BWT Beijing Ltd

Pessoa de Contato: Ms.Hellen Wang

Tel:86-10-83681053

Fax:86-10-83682949

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